收藏本站
New Product
Si4622DY
Vishay Siliconix
CHANNEL-2 TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
30
V GS = 10 V thr u 4 V
2.0
24
V GS = 3 V
1.5
T C = 25 °C
1 8
1.0
12
0.5
6
T C = 125 °C
0
V GS = 2 V
0.0
T C = - 55 °C
0
1
2
3
4
5
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.035
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
1000
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
0.030
8 00
600
C iss
0.025
V GS = 4.5 V
400
0.020
0.015
V GS = 10 V
200
0
C rss
C oss
0
5
10
15
20
25
30
0
6
12
1 8
24
30
10
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current
1. 8
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
I D = 6.7 A
V DS = 15 V
8
1.5
V GS = 4.5 V, I D = 6.4 A
6
4
V DS = 24 V
1.2
V GS = 10 V, I D = 6.7 A
0.9
2
0
0.6
0
2
4
6
8
10
12
14
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
www.vishay.com
8
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
Document Number: 68695
S09-0764-Rev. B, 04-May-09
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SI4632DY-T1-GE3 MOSFET N-CH 25V 8-SOIC
SI4634DY-T1-E3 MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
SI4636DY-T1-E3 MOSFET N-CH/SCHOTTKY 30V 8SOIC
SI4638DY-T1-E3 MOSFET N-CH/SCHOTTKY 30V 8SOIC
SI4646DY-T1-GE3 MOSFET N-CH/SCHOTTKY 30V 8SOIC
SI4654DY-T1-E3 MOSFET N-CH D-S 25V 8-SOIC
SI4705-D-EVB BOARD EVAL MOBILE SI4704/05-D50
SI4706-B20-GM IC FM RADIO TUNER 20-QFN
相关代理商/技术参数
SI4622DY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 8.0A 3.3/3.1W 16/26.4mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4626ADY-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 30A 6.0W 3.3mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4626ADY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 30A 6.0W 3.3mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4626DY-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 30A 6.0W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4628DY 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
SI4628DY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 38A 7.8W 3.0mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4630DY 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 25-V (D-S) MOSFET
SI4630DY-T1-E3 功能描述:MOSFET 25V 36A 7.8W 2.7mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube